摘要：10月,美国劳伦斯伯克利国家实验室研究团队开发出栅极沟道长度仅为1nm的晶体管.长期以来,人们认为以硅为材料的晶体管的物理极限为5nm.当晶体管沟道长度小于5nm时,会因量子隧穿效应而无法正常工作.自集成电路发明以来,单位面积芯片上所容纳晶体管数目每约18个月就会增加一倍（即“摩尔定律”）,这保证了电子产品的性能呈指数级提升,而价格却不断下降。

关键词：晶体管 开发 美国 世界 量子隧穿效应 

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