Journal of Semiconductors杂志目前被CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、EI 工程索引(美)、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、Pж(AJ) 文摘杂志(俄)、剑桥科学文摘、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏、文摘与引文数据库、文摘杂志、等数据库收录。
Journal of Semiconductors杂志基本信息
级别：CSCD期刊、统计源期刊
周期：月刊
国际刊号：1674-4926
国内刊号：11-5781/TN
出版地区：北京
杂志社地址：北京市海淀区清华东路甲35号
邮编：100083
杂志主要栏目： 研究论文、研究快报、研究简报、技术进展、等。
杂志获得的荣誉： 全国优秀科技期刊、中国科技期刊优秀期刊、等。
杂志特色：
Ⅰ、稿件参照规范学术论文格式与体例。文中标题一般不超过三级，如依次为“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋体、小四、1.5 倍行距进行排版。
Ⅱ、范围：半导体材料和器件的研究与应用，包括但不限于半导体材料生长、制备与表征，半导体器件物理与模拟，半导体工艺与技术，半导体应用与系统等方面。
Ⅲ、中文题名一般不允许超过20个汉字，必要时可以加副标题。要求有作者署名，工作单位全称及其所在省（直辖市、自治区）、市、县，邮政编码等信息。
Ⅳ、间接引文通常以“参见”或“详见”等引领词引导，反映出与正文行文的呼应，标注时应注出具体参考引证的起止页码或章节。标注项目、顺序与格式同直接引文。
Ⅴ、凡可文字表述清楚的内容，尽量不用图、表，文字、图、表三者内容不得重复。表格一律采用“三线表”格式，必要时可添加辅助线。
VI、摘要的内容包括研究目的、内容、主要方法、结果和结论等（300字左右）：摘要应尽量写成报道性文摘且具有独立性，采用第三人称写法，一般不用数学公式和化学结构，不出现插图、表格，不用引文；中、英文摘要内容一致。
VII、稿件注释著作类包括作者、著作名称、出版社、出版时间、页码；古文献可在作者前加时代；译著可在作者前加国别；论文类包括作者、论文名称、期刊号。来稿请一律采用尾注形式。
VIII、来稿要求包含论文的中英文题目、中英文摘要、中英文关键词，中英文作者姓名和中英文署名单位以及文章的中图分类号、文献标志码。
IX、论文所涉及的课题如取得国家或部、省级以上基金或攻关项目资助，应脚注于文题页左下方，如“基金项目：××基金资助项目（基金编号××××）”，并附证书复印件。
X、有参考文献，专著的格式为：主要责任者.题名[文献类型标志].出版地：出版者，出版年：引文页码，文献的格式为主要责任者.文献题名[文献类型标志].连续出版物题名，年，卷（期）：页码。
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