Journal of Semiconductors杂志

Journal of Semiconductors杂志简介

《Journal of Semiconductors》于1980年创办，全刊信息多却有条有理，坚持打造交流思想和经验共享的主流平台，国内刊号为：11-5781/TN，创刊多年来受到许多读者的支持和喜爱。

《Journal of Semiconductors》是国内最早的半导体领域学术期刊之一，旨在推动半导体科技和应用的研究，为学术界和工业界提供一个交流和分享半导体领域最新科研成果和技术进展的平台。涵盖了广泛的半导体领域，包括材料与器件、工艺与制造、物理与特性等方面的研究。发布的论文涉及晶体生长、材料表征、器件设计、制备工艺、性能测试等各个环节，同时也关注半导体应用领域的新技术和应用案例。它在国内外半导体领域享有较高的声誉和影响力，被广大研究人员和工程师广泛引用，目标是成为一个推动半导体科技创新、促进学术交流和推动产业发展的重要平台。

《Journal of Semiconductors》通过严格的同行评议制度和学术委员会的管理，确保论文质量和学术水平，为广大研究人员和工程师提供高质量的研究成果和应用案例。

Journal of Semiconductors期刊须知 （审稿周期：预计1-3个月）

Ⅰ、稿件参照规范学术论文格式与体例。文中标题一般不超过三级，如依次为“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋体、小四、1.5 倍行距进行排版。

Ⅱ、范围：半导体材料和器件的研究与应用，包括但不限于半导体材料生长、制备与表征，半导体器件物理与模拟，半导体工艺与技术，半导体应用与系统等方面。

Ⅲ、中文题名一般不允许超过20个汉字，必要时可以加副标题。要求有作者署名，工作单位全称及其所在省（直辖市、自治区）、市、县，邮政编码等信息。

Ⅳ、间接引文通常以“参见”或“详见”等引领词引导，反映出与正文行文的呼应，标注时应注出具体参考引证的起止页码或章节。标注项目、顺序与格式同直接引文。

Ⅴ、凡可文字表述清楚的内容，尽量不用图、表，文字、图、表三者内容不得重复。表格一律采用“三线表”格式，必要时可添加辅助线。

VI、摘要的内容包括研究目的、内容、主要方法、结果和结论等（300字左右）：摘要应尽量写成报道性文摘且具有独立性，采用第三人称写法，一般不用数学公式和化学结构，不出现插图、表格，不用引文；中、英文摘要内容一致。

VII、稿件注释著作类包括作者、著作名称、出版社、出版时间、页码；古文献可在作者前加时代；译著可在作者前加国别；论文类包括作者、论文名称、期刊号。来稿请一律采用尾注形式。

VIII、来稿要求包含论文的中英文题目、中英文摘要、中英文关键词，中英文作者姓名和中英文署名单位以及文章的中图分类号、文献标志码。

IX、论文所涉及的课题如取得国家或部、省级以上基金或攻关项目资助，应脚注于文题页左下方，如“基金项目：××基金资助项目（基金编号××××）”，并附证书复印件。

X、有参考文献，专著的格式为：主要责任者.题名[文献类型标志].出版地：出版者，出版年：引文页码，文献的格式为主要责任者.文献题名[文献类型标志].连续出版物题名，年，卷（期）：页码。