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固体电子学研究与进展

影响因子:0.29

审稿周期:预计1-3个月

固体电子学研究与进展杂志

主管单位:中国电子科技集团公司  主办单位:南京电子器件研究所
  • 创刊时间:1981
  • 国际刊号:1000-3819
  • 出版周期:双月刊
  • 邮政编码:210016
  • 国内刊号:32-1110/TN
  • 全年订价:¥ 220.00
  • 发行地区:江苏
  • 出版语言:中文
主要栏目:
  • 三维集成射频微系统(专栏)
  • 器件物理与器件模拟
  • 射频微波与太赫兹
  • 光电子学
  • 硅微电子学
  • 材料与工艺
  • 研究简讯
杂志简介 期刊须知 历史收录 数据分析 发文分析 常见问题 相关期刊 相关范文

固体电子学研究与进展杂志简介

《固体电子学研究与进展》于1981年创办,全刊信息多却有条有理,坚持打造交流思想和经验共享的主流平台,国内刊号为:32-1110/TN,创刊多年来受到许多读者的支持和喜爱。

《固体电子学研究与进展》主要栏目:器件物理与器件模拟、射频与微波、光电子学、硅微电子学、材料与工艺。

固体电子学研究与进展期刊须知 (审稿周期:预计1-3个月)

Ⅰ、引文标注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式统一编码。文献征引请使用参考文献标准格式。

Ⅱ、内容摘要为文章主要观点之提炼,字数一般控制在200——300字为宜;关键词一般为3至5个(提供英文摘要及关键词更佳)。

Ⅲ、篇名:篇名应简明、具体、确切,能概括文章的特定内容,符合编制题录、索引和检索的有关原则,一般不超过20个字。

Ⅳ、作者身份、职称、工作单位、通信地址及邮政编码、电话、传真、电子信箱等信息。

Ⅴ、注释:凡对文章篇名、作者及文内某一特定内容所作的必要的解释或说明为注释。用“①、②、③、④……”编号,置于正文之后。

固体电子学研究与进展历史收录

杂志咨询服务流程

固体电子学研究与进展数据分析

期刊发文量和影响因子

期刊被引半衰期和引用半衰期

固体电子学研究与进展发文分析

主要发文学者分析

学者姓名 发文量 主要研究主题
陈堂胜 127 高电子迁移率晶体管;氮化镓;GAN;砷化镓;GAA...
林金庭 61 GAAS;MMIC;砷化镓;单片;微波单片集成电路
陈效建 60 MMIC;砷化镓;PHEMT;功率放大器;GAAS
薛舫时 52 HFET;GAN;电流崩塌;势垒;沟道
洪志良 50 CMOS;低功耗;跨导;电路;锁相环
李忠辉 48 氮化镓;GAN;MOCVD;二维电子气;高电子迁移率...
李拂晓 45 砷化镓;GAAS;单片;开关;MESFET
魏同立 41 半导体器件;硅;双极晶体管;集成电路;CMOS
孔月婵 40 金刚石;衬底;二维电子气;氮化镓晶体管;键合
张斌 40 微波单片集成电路;MMIC;功率MMIC;氮化镓;功...

主要发文机构分析

机构名称 发文量 主要研究主题
南京电子器件研究所 925 晶体管;电路;放大器;单片;GAAS
东南大学 317 电路;半导体;放大器;晶体管;集...
复旦大学 231 电路;功耗;集成电路;低功耗;半...
中国科学院 148 晶体管;半导体;分子束;分子束外...
西安电子科技大学 116 半导体;电路;金属氧化物半导体;...
浙江大学 77 电路;半导体;芯片;金属氧化物半...
清华大学 70 电路;集成电路;计算机;半导体;...
天津大学 69 隧穿;电路;晶体管;共振隧穿;负...
南京大学 68 发光;半导体;纳米;氮化镓;GAN
中国科学院微电子研究... 68 电路;低噪;低噪声;晶体管;CMOS

主要资助项目分析

涉及文献 资助项目
823 国家自然科学基金
147 国家高技术研究发展计划
113 国家重点基础研究发展计划
68 江苏省自然科学基金
50 中央高校基本科研业务费专项资金
47 国家科技重大专项
44 国家教育部博士点基金
26 福建省自然科学基金
24 国家重点实验室开放基金
24 河北省自然科学基金

主要资助课题分析

涉及文献 资助课题
8 江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053)
8 国家自然科学基金(60371029)
8 国家自然科学基金(60506012)
8 国家自然科学基金(60776016)
8 中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B)
7 国家高技术研究发展计划(2009AA011605)
7 北京市人才强教计划项目(05002015200504)
7 国家自然科学基金(69736020)
7 国家自然科学基金(61106130)
6 国防科技重点实验室基金(9140C1402021102)
固体电子学研究与进展杂志

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