半导体技术杂志论文投稿要求：
Ⅰ、编辑部有权对稿件进行适当修改、加工，如不同意，请作者在投稿时予以说明。
Ⅱ、中、英文关键词：一般3～5个名词性规范术语。
Ⅲ、请附第一作者简介，给出出生年、性别、民族（汉族可省略）、籍贯（到县级）、职称、学历、学位、简历或研究方向等信息。
Ⅳ、如果论文涉及的是有关基金项目的研究内容，颁注明基金或资助机构的名称、项目编号，交稿时需附交项目批准工件复印件或电子文档。
Ⅴ、参考文献采用顺序编码制，在文中引用处标明序号。
杂志发文主题分析如下：
| 主题名称 | 发文量 | 相关发文学者 |
| 半导体 | 1081 | 钱省三；宋登元；徐会武；赵润；潘宏菽 |
| 电路 | 1033 | 吴洪江；高学邦；成立；王振宇；魏洪涛 |
| 集成电路 | 768 | 高学邦；吴洪江；成立；王振宇；魏洪涛 |
| 晶体管 | 511 | 赵正平；冯志红；吴洪江；潘宏菽；蔡树军 |
| 芯片 | 422 | 吴洪江；王振宇；成立；姚兴军；李丽 |
| 放大器 | 319 | 高学邦；吴洪江；刘帅；南敬昌；成立 |
| 封装 | 295 | 王珺；蔡坚；王水弟；贾松良；成立 |
| 二极管 | 282 | 冯志红；魏洪涛；贾云鹏；吴昊；吴洪江 |
| 单片 | 221 | 吴洪江；高学邦；方园；刘帅；魏洪涛 |
| 功耗 | 168 | 成立；周玉梅；居水荣；刘锡锋；张春 |
杂志往期论文摘录展示
基于喷墨打印的In2O3/IGZO TFT的电学性能
双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真
基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模
n型双面TOPCon太阳电池钝化技术
图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响
Co3O4-ZnO p-n异质结构低温丙酮气体传感器
富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析
先进电子器件封装中键合引线的电磁特性
基于Elman神经网络模型的IGBT寿命预测
购物车(0)
